एल्युमिनियम नाइट्राइड सब्सट्रेट

मुलिटसब्सट्रेट(3 a1203. 2Si02): A1203-Si02 बाइनरी प्रणालीमा सबैभन्दा स्थिर क्रिस्टल चरणहरू मध्ये एक हो, यद्यपि मेकानिकल बल र थर्मल चालकता A1203 को तुलनामा कम छ, तर यसको डाइलेक्ट्रिक स्थिरता कम छ, त्यसैले यसले सिग्नललाई अझ सुधार गर्ने अपेक्षा गरिएको छ। प्रसारण गति। थर्मल विस्तारको गुणांक पनि कम छ, जसले LSI को थर्मल तनाव कम गर्न सक्छ, र कन्डक्टर सामग्री Mo, W को थर्मल विस्तारको गुणांकमा भिन्नता सानो छ, जसले गर्दा साइकल चलाउँदा कन्डक्टर बीच कम तनाव हुन्छ।

एल्युमिनियमनाइट्राइड सब्सट्रेट:
a कच्चा माल: AIN एक गैर-प्राकृतिक उपस्थिति हो तर 1862 मा एक कृत्रिम खनिज, पहिलो पटक Genther et al द्वारा संश्लेषित गरिएको थियो। Aln पाउडर को प्रतिनिधित्व को प्रतिनिधित्व नाइट्राइड विधि र प्रत्यक्ष nitridation विधि को कम गर्न को लागी छ। पहिले A1203 मा उच्च शुद्धता कार्बन कमी संग प्रतिक्रिया गर्दैछ, र त्यसपछि नाइट्रोजन संग प्रतिक्रिया गर्दछ, र पछिल्लो सीधा नाइट्राइडिंग छ। ;

b निर्माण विधि: A1203सब्सट्रेटएआईएन सब्सट्रेटहरूको निर्माणमा उत्पादन प्रयोग गर्न सकिन्छ, जहाँ जैविक ल्यामिनेसन विधिको अधिकतम प्रयोग, त्यो हो, एआईएन कच्चा माल पाउडर, एक जैविक टाँस्ने, र एक विलायक, सर्फेक्टन्ट मिश्रित सिरेमिक स्लरी, पास, लमिनेट, हट प्रेस, घटाउने, जलाउने

C. AIN सब्सट्रेटका विशेषताहरू: AIN १० गुणाभन्दा बढी छ, र CTE सिलिकन वेफरसँग मेल खान्छ। AIN सामग्री अपेक्षाकृत A1203 सँग सम्बन्धित छ, इन्सुलेशन प्रतिरोध, इन्सुलेशन, र डाइलेक्ट्रिक स्थिरता कम छ। यी सुविधाहरू प्याकेजिङ सब्सट्रेट अनुप्रयोगहरूको लागि धेरै दुर्लभ छन्;

d आवेदन: VHF (अल्ट्रा हाई फ्रिक्वेन्सी) फ्रिक्वेन्सी बेल्ट पावर एम्पलीफायर मोड्युल, हाई पावर डिभाइस र लेजर डायोड सब्सट्रेटका लागि प्रयोग गरिन्छ।